Diodos. Transistores (bipolares, FET y MOSFET). Diac.

 

Diodos. Transistores (bipolares, FET y MOSFET). Diac.

 

https://www.youtube.com/watch?v=oNDju1_Y4sQ 

 

En este texto explicativo detalla el funcionamiento y la estructura de los componentes semiconductores fundamentales descritos en tus fuentes.

Este texto profundiza en los siguientes temas técnicos:

• Diodos: Se explica su estructura de unión PN, permitiendo el paso de corriente en un solo sentido (polarización directa) y bloqueándolo en sentido contrario (polarización inversa). Se destacan sus aplicaciones como rectificadores para convertir CA en CC.
• Transistores Bipolares (BJT): Se analiza este dispositivo de tres terminales (Emisor, Base y Colector) que es controlado por corriente. Se distinguen los tipos NPN y PNP, detallando sus zonas de trabajo: corte (llave abierta), saturación (llave cerrada) y activa (amplificación).
• Transistores de Efecto de Campo (FET y MOSFET): A diferencia de los BJT, estos son dispositivos controlados por voltaje con una impedancia de entrada extremadamente alta.
  • El MOSFET destaca por tener su terminal de puerta aislado eléctricamente por una capa de dióxido de silicio.
  • Se explican los modelos de enriquecimiento (normalmente abierto) y deplexión (normalmente conductor).
• DIAC: Se describe como un diodo bidireccional para corriente alterna que actúa como un interruptor autodisparable cuando se supera su tensión de ruptura. Es fundamental como dispositivo de disparo para TRIACs en controles de potencia.
• UJT (Transistor Uniunión): Dispositivo de tres terminales (E, B1, B2) con una sola unión PN. Se detalla su uso principal en osciladores de relajación para generar señales de disparo en circuitos de potencia.